氧化銦鎵鋅
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氧化銦鎵鋅（英語：indium gallium zinc oxide，也作IGZO）是一種半導體，常用於制作顯示器中的薄膜電晶體。IGZO結晶最初由君塚昇於1985年合成[1]，1990年代由東京工業大學教授細野秀雄與日本科学技术振兴机构共同開發成IGZO透明非晶硅技術[2]。IGZO相较于传统的非晶硅与多晶硅技术的耐用度偏低——其對光、水以及氧都高度敏感，因此不适用於需要高可靠度的軍用或工業環境。优势方面，IGZO可用于制作更小的薄膜电晶体，提高液晶显示器面板畫素的開口率，帮助實現更高的解析度和電子遷移率。
日本科學技術振興機構（JST）把技術專利於2011年授權予三星電子[3]，2012年夏普(Sharp)亦獲得授權[4]。
低溫多矽顯示面板（LTPS）的表現在某些方面比IGZO更佳（如更高電子遷移率），但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本，在中大尺寸面板上使用IGZO技術的成本則比使用LTPS低很多。
參見
[编辑]- 細野秀雄
- 低温多晶硅（LTPO或LTPS），另一种制作薄膜电晶管的技术
- 薄膜電晶體液晶顯示器（TFT-LCD），使用薄膜电晶体作为控制逻辑的液晶显示面板
- 有機發光二極體（OLED），另一种制作显示面板的材料
参考文献
[编辑]- ^ N. Kimizuka and T. Mohri: J. Solid State Chem. 60 (1985) 382.
- ^ Nomura, K., Ohta, H., Takagi, A., et al. Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors [[一种]在室温环境下使用非晶氧化半导体制作透明、具柔韧性的薄膜晶体管[的方法]]. Nature. 2004-11-25, 432 (7016) [2026-06-25]. ISSN 1476-4687. doi:10.1038/nature03090 （英语）.
- ^ 日本科学技术振兴机构 (JST), Japan Science and Technology Agency. JST Signs Patent License Agreement with Samsung for High Performance Thin Film Transistor Technology [JST授权三星公司[使用]其高性能薄膜电晶体相关专利，双方就此签署协议]. [2014-01-07]. （原始内容存档于2013-12-05） –通过Tokyo Institute of Technology Public Relations Center （英语）.
- ^ 夏普公司. シャープとJSTが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結 [JST与夏普签署协议，授予后者氧化半导体[指IGZO]相关专利]. 2012-05-29 [2014-01-07]. （原始内容存档于2014-01-07） （日语）.
