Intel 1103
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 陶瓷封装版的C1103 | |
| 媒體種類 | 8 μm p-MOS DRAM |
|---|---|
| 容量 | 1 kilobit |
| 國際標準 | 18引脚DIP |
| 開發 | 霍尼韦尔 |
| 制造商 | 英特尔等 |
| 用途 | HP 9800 series[1]、PDP-11[2]、MAXC[3]等 |
| 已發布 | 1970年10月[4] |
| 停產 | 1979[5] |
Intel 1103是由英特尔（Intel）开发及制造的动态随机存储器（DRAM）集成电路。芯片于1970年10月面世，是最早的商业化DRAM集成电路；且其体积小、价格低廉，冲击了当时磁芯存储器的地位[6][1]。1974年6月，英特尔的1103芯片出货达25万颗[7]。
研發
[编辑]1969年，霍尼韦尔工程师William Regitz等人设计了三晶体管基本单元的动态存储器，并寻找半导体公司投入生产。当时创立不久的英特尔表示了意向，并提出将Regitz设计的512位元容量扩大到1,024位元。英特尔的Joel Karp设计电路，并与Regitz紧密合作[1]。
在研发1102的同时，英特尔也在探索其他设计方案，亦即1103。由于此举不为霍尼韦尔所乐见，因此1103由英特尔工程师秘密绘制[1]。1103虽然较1102多引入了一根选择线，但结构更为简单，适合量产[8][9]。尽管英特尔工程师指出，1103有影响良率的设计缺陷，但管理层仍敲定先行生产，于是1103于1970年10月走向市场。之后英特尔不断改进设计提升良率，1971年生产掩模经过五次改版后，达到满意的水平[1]。
1971年，Microsystems International成为首家第二供应商（second source）[10]。之后國家半導體、西格尼蒂克、Synertek也开始生产1103。
技術資料
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| tRWC | 580 ns | 随机读/写周期时间（两次预充电的间隔） |
| tPO | 300 ns | 存取时间（从预充电高电平到有效数据输出） |
| tREF | 2 ms | 再生周期 |
| VCC | 16 V | 电源电压 |
| p-MOS | 8 μm[11] | 生产工艺（硅栅MOSFET） |
| 容量 | 1024x1 | 存储单元数 × 字长 |
參考文獻
[编辑]- ^ 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 Mary Bellis. Who Invented the Intel 1103 DRAM Chip. ThoughtCo. 2016-08-25.
- ^ PDP-11/45, 11/50, and 11/55 System Maintenance Manual (PDF). Digital Equipment Corporation. 1976-09.
- ^ Fiala, Edward R. The Maxc Systems (PDF). GitHub. IEEE Computer Society. 1978-05 [2022-10-12].
The most significant contributor to reliability has been main-memory error correction. During the first six months of operation, we replaced about 12 failing 1Kx1 MOS RAMs per month (out of a population of 18,432 chips): this has gradually declined to about three failures a month during the last three years. However, because of error correction, a negligible number of these failures has caused crashes.
- ^ Defining Intel: 25 Years/25 Events (PDF). Intel Corporation. Page 6.
- ^ Intel Corporation, "The 1103 retires!", Intel Preview, March/April 1979, page 23
- ^ Jacob, Bruce et al. (2008). Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. Morgan Kaufmann Publishers. pp. 457–458.
- ^ Explore Intel’s history- A Milestone for the 1103. timeline.intel.com. [2026-09-05]. （原始内容存档于2025-11-28）.
- ^ Computer History Museum: "Oral History of Joel Karp" Interviewed by Gardner Hendrie March 3, 2003 | Atherton, California
- ^ Sideris, George. The Intel 1103: The MOS memory that defied cores (PDF). Electronics. 1973-04-26 [2026-09-05]. （原始内容 (PDF)存档于2024-05-26）.
- ^ Tedlow, Richard S. Andy Grove: The Life and Times of an American. Portfolio. 2006: 141–142. ISBN 9781591841395.
- ^ Lojek, Bo. History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. 2007: 362–363. ISBN 9783540342588.
The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm2 memory cell size, a die size just under 10 mm2, and sold for around $21.
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